@prefix p: <http://www.wikidata.org/prop/> .
@prefix rdfs: <http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#> .
@prefix schema1: <http://schema.org/> .
@prefix skos: <http://www.w3.org/2004/02/skos/core#> .
@prefix wd: <http://www.wikidata.org/entity/> .
@prefix wds: <http://www.wikidata.org/entity/statement/> .
@prefix wdt: <http://www.wikidata.org/prop/direct/> .
@prefix wdtn: <http://www.wikidata.org/prop/direct-normalized/> .
@prefix wikibase: <http://wikiba.se/ontology#> .
@prefix xsd: <http://www.w3.org/2001/XMLSchema#> .

wd:Q4201787 rdfs:label "Institute of Semiconductor Physics"@en,
        "Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН"@ru ;
    schema1:dateModified "2026-06-10T22:46:45+00:00"^^xsd:dateTime ;
    schema1:description "research institute in Novosibirsk, Russia"@en,
        "один из крупнейших институтов Сибирского отделения РАН"@ru ;
    schema1:version 2504401456 ;
    wikibase:identifiers 10 ;
    wikibase:sitelinks 3 ;
    wikibase:statements 21 ;
    skos:altLabel "ИФП СО РАН"@ru,
        "Институт физики полупроводников"@ru,
        "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук"@ru ;
    p:P11245 wds:Q4201787-3c01b21f-1543-4da5-8bbf-f68d8add0bc1 ;
    p:P131 wds:Q4201787-3BF94348-F3B5-4D46-9898-C8A0E446AC9B ;
    p:P138 wds:Q4201787-93655780-4899-7b62-3f2a-33f73c2a66ab ;
    p:P14075 wds:Q4201787-EAF35535-D83C-4E93-BF70-68E7FB811198 ;
    p:P17 wds:Q4201787-7e137855-4b51-3d5c-8de4-a6a85eb76483,
        wds:Q4201787-b249c46b-4e2c-ef09-1028-e1f95540c0e5 ;
    p:P2013 wds:Q4201787-9D7387E2-4706-412A-8836-FD6F3724C6E9 ;
    p:P214 wds:Q4201787-0286EED1-DE5D-44BA-B6A2-9A168F5744A6 ;
    p:P2397 wds:Q4201787-7BB6A248-14A4-481C-B871-32DF73489100 ;
    p:P2427 wds:Q4201787-661FADCF-6FCC-48E8-AF88-7C8F0DDCA5A8 ;
    p:P2924 wds:Q4201787-C2BD5C05-7208-4829-9D6E-510E5E7C9B46 ;
    p:P31 wds:Q4201787-D0AD6B73-B577-4287-B698-DCA60C8B0199 ;
    p:P3185 wds:Q4201787-74175BE4-F1D2-4DDB-AA75-6211E7C369E0 ;
    p:P373 wds:Q4201787-c5a97717-f710-40ef-b509-40069629cc85 ;
    p:P488 wds:Q4201787-7bb27e3d-4a1a-21d6-fdbe-f99ba3dd92c7 ;
    p:P571 wds:Q4201787-6eb5a2ba-4491-fbe5-b0a3-341b51962a5e ;
    p:P6782 wds:Q4201787-C4A176E3-CB05-4743-822B-68AB83EAE90C ;
    p:P7011 wds:Q4201787-BCEB039B-34C4-4F91-84EE-3F1E11637739 ;
    p:P749 wds:Q4201787-CE7358E5-2C35-44DE-BC10-080CD09ED6A0,
        wds:Q4201787-F3BF63ED-3922-46B3-9CA9-25A9226E4088 ;
    p:P856 wds:Q4201787-944959a0-48aa-f88f-ca20-5ac783082522 ;
    wdtn:P214 <http://viaf.org/viaf/4675154260521824480004> ;
    wdt:P11245 "ispsbras" ;
    wdt:P131 wd:Q883 ;
    wdt:P138 wd:Q20925379 ;
    wdt:P14075 "41165" ;
    wdt:P17 wd:Q159 ;
    wdt:P2013 "ispsbras" ;
    wdt:P214 "4675154260521824480004" ;
    wdt:P2397 "UCnyKthoap_71KPJ6oaYAYvA" ;
    wdt:P2427 "grid.450314.7" ;
    wdt:P2924 "4711291" ;
    wdt:P31 wd:Q4201890 ;
    wdt:P3185 "ifpsoran" ;
    wdt:P373 "Rzhanov Institute of Semiconductor Physics" ;
    wdt:P488 wd:Q20925379 ;
    wdt:P571 "1964-04-24T00:00:00+00:00"^^xsd:dateTime ;
    wdt:P6782 "03napcw37" ;
    wdt:P7011 "1025403651283" ;
    wdt:P749 wd:Q4339448,
        wd:Q53579434 ;
    wdt:P856 <https://www.isp.nsc.ru/> .