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wd:Q475790 rdfs:label "درج الكولوم"@ar,
        "Кулонаўская блакада"@be,
        "Bloqueig de Coulomb"@ca,
        "Single electron transistor"@da,
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        "Coulomb'i blokaad"@et,
        "انسداد کولمبی"@fa,
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        "Одноелектронний транзистор"@uk,
        "库仑阻塞"@zh,
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    schema1:description "augment de la resistència a petits voltatges de polarització d'un dispositiu electrònic que comprèn almenys una unió túnel de baixa capacitat"@ca,
        "Verschwinden der elektrischen Leitfähigkeit sehr kleiner Objekte bei tiefen Temperaturen"@de,
        "increased resistance at small bias voltages of an electronic device comprising at least one low-capacitance tunnel junction"@en,
        "aumento de la resistencia a pequeñas tensiones de polarización de un dispositivo electrónico que comprenda al menos una unión túnel de baja capacitancia"@es,
        "افزایش مقاومت در ولتاژ بایاس کم در یک قطعه ی الکترونیکی شامل حداقل یک پیوند تونلی خازنی"@fa,
        "energiebarrière als gevolg van elektrostatische interactie"@nl,
        "povečana upornost pri majhnih prednapetostih elektronske naprave, ki vsebuje vsaj en tunelski prehod z nizko kapacitivnostjo"@sl ;
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        "Кулоновская лестница"@ru,
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